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Samsung MZ-V9P1T0, 1000 Go, M.2, 7450 Mo/s MZ-V9P1T0GW

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Prix total  HT 149,53 €
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    Points forts :
    • Algorithme de sécurité soutenu : 256-bit AES
    • Capacité du Solid State Drive (SSD) : 1000 Go
    • Choc durant le fonctionnement : 1500 G
    • composant pour : PC
    En savoir plus
    Offre de bienvenue
    Algorithme de sécurité soutenu :
    256-bit AES
    Capacité du Solid State Drive (SSD) :
    1000 Go
    Choc durant le fonctionnement :
    1500 G
    composant pour :
    PC
    Consommation (max) :
    7,8 W
    Consommation d'énergie (moyenne) :
    5,4 W
    Écriture aléatoire (4KB) :
    1550000 IOPS
    Facteur de forme SSD :
    M.2
    Hauteur :
    24,3 mm
    Interface :
    PCI Express 4.0
    Largeur :
    80 mm
    Le chiffrement matériel :
    Oui
    Lecture aléatoire (4KB) :
    1200000 IOPS
    NVMe :
    Oui
    Poids :
    28 g
    Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) :
    Oui
    Profondeur :
    8,2 mm
    Support S.M.A.R.T. :
    Oui
    Support TRIM :
    Oui
    Taille du SSD M.2 :
    2280 (22 x 80 mm)
    Température d'opération :
    0 - 70 °C
    Temps moyen entre pannes :
    1500000 h
    Tension de fonctionnement :
    3,3 V
    Type de mémoire :
    V-NAND MLC
    Version NVMe :
    2.0
    Vitesse de lecture :
    7450 Mo/s
    Vitesse d'écriture :
    6900 Mo/s
    Samsung MZ-V9P1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC