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Samsung MZ-V8P2T0BW, 2000 Go, M.2, 7000 Mo/s

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  • Algorithme de sécurité soutenu : 256-bit AES
  • Capacité du Solid State Drive (SSD) : 2000 Go
  • Choc durant le fonctionnement : 1500 G
  • composant pour : PC/ordinateur portable
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CaractéristiquesProduits associésDescriptionProduits similaires

Caractéristiques

Algorithme de sécurité soutenu :
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD) :
2000 Go
Choc durant le fonctionnement :
1500 G
composant pour :
PC/ordinateur portable
Consommation (max) :
7,2 W
Consommation d'énergie (mode veille) :
0,035 W
Consommation d'énergie (moyenne) :
6,1 W
Écriture aléatoire (4KB) :
1000000 IOPS
Facteur de forme SSD :
M.2
Flux de données d'interface PCI Express :
x4
Hauteur :
22,1 mm
Interface :
PCI Express 4.0
Largeur :
80,2 mm
Le chiffrement matériel :
Oui
Lecture aléatoire (4KB) :
1000000 IOPS
NVMe :
Oui
Poids :
9 g
Profondeur :
2,38 mm
Support S.M.A.R.T. :
Oui
Support TRIM :
Oui
Température d'opération :
0 - 70 °C
Température maximale de fonctionnement :
70 °C
Temps moyen entre pannes :
1500000 h
Tension de fonctionnement :
3,3 V
Type de mémoire :
V-NAND MLC
Type d'emballage :
Boîte
Version NVMe :
1.3c
Vitesse de lecture :
7000 Mo/s
Vitesse d'écriture :
5100 Mo/s

Description

Samsung MZ-V8P2T0BW. Capacité du Solid State Drive (SSD): 2000 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7000 Mo/s, Vitesse d'écriture: 5100 Mo/s, composant pour: PC/ordinateur portable